A.4
B.2
C.1
D.8
关于TD-LTE中天线端口说法错误的有()A.8pathTM3配置下逻辑端口与TM8配置下的逻辑端口数相同B.8pathTM7配置下逻辑端口为1个C.8pathTM8配置下逻辑端口为4个D.天线逻辑端口与物理端口一一对应
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TD-LTE终端和芯片已基本成熟,目前, 支持五模的TD-LTE芯片平台基本达到商用能力的厂商有() ①高通、②海思、③Intel、④创毅A.①和②B.①③④C.①②③D.以上全是
VSAT是英文VerySmAllApertureTerminAl的缩写,其意为().A、甚小天线口径B、甚小天线口径终端C、甚小天线终端D、天线终端
在进行TD-LTE覆盖规划时,以下哪些因素需要考虑()A、边缘目标速率B、干扰消除技术C、资源分配D、天线配置E、特殊时隙配置
TD-LTE的上下行业务信道采用2×2天线配置时,在与TD-SCDMA覆盖距离相同的地方,TD-LTE系统上行流量性能比TD-SCDMA HSUPA业务性能()A、稍好B、稍差C、等于
TD-LTE网络规划时,天线方案的基本思路是什么?
LTE下行基本MIMO基本配置是2×2个天线()。A、4×4个天线B、2×2个天线C、2×4个天线D、1×2个天线