在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
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在常温常压下,硅二极管的正向导通压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.4~0.5VC、0.6~0.8VD、0.9~1.0V
二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
半导体二极管具有显著的单向导电性,外加正向电压时,锗二极管的死区电压一般为()。A、0.1~0.3VB、0.3~0.5VC、0.5~0.7VD、0.7~0.8V
锗二极管正向导通电压应为()。A、0.3vB、0.7vC、0vD、很大