关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
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关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化 B.Ca由膜外进入突触前膜内 C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高 E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
A.K B.Na C.Ca D.Cl E.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是
关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是( )。A. B.突触后膜去极化 C.突触后膜出现超极化 D.突触后膜出现复极化 E.以上都不是
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。
下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是( )。A. B.突触前末梢去极化 C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 D. E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。